供电管理单元

n  供电电压管理

²  VCC和VBAT仅有一路接入时，即为微控制器单元的工作电压VDD

²  VCC和VBAT同时接入时，电压高的供电电压将作为微控制器单元的工作电压VDD

n  复位电压监测

²  支持VDD的上电复位POR和低电压复位LVR

锂电充电单元

n  锂电池充电控制模块LBC

²  支持单节锂电池恒流恒压充电

²  浮充电压4级（4.1V/4.15V/4.2V/4.25V）可选

²  充电电流4级（100mA/150mA/200mA/250mA）可选，且调整电流时将渐变输出

²  接入VCC时若VCC高于3.6V且高于（VBAT+100mV），则可自动充电

²  充电过程中若VCC低于（VBAT+30mV）则停止充电

²  充电过程中当电池电压达到浮充电压且充电电流降至恒流充电电流的1/10后，充电终止

²  支持自动再充电功能

²  内置防倒充保护电路，可防止VBAT向VCC电流倒充

²  可反馈充电状态

n  温度检测与保护TDP

²  芯片温度检测点：高温保护温度点TTHP、超温保护温度点TTOP

²  支持高温保护功能：恒流充电和再充电阶段，当芯片温度高于TTHP时自动按THPIS设定值降低充电电流（低于TTHP后自动恢复）

²  支持超温保护功能：充电过程中，当芯片温度高于TTOP时自动停止充电输出（低于TTHP后自动恢复）

²  芯片温度上升过程中超过TTHP、或超过TTOP时，触发温度检测中断

微控制器单元

n  8位CPU内核

²  精简指令集，5级深度硬件堆栈

²  CPU为单时钟，仅在系统主时钟下运行

²  系统主时钟下FCPU固定为FOSC的2分频

n  程序存储器

²  1K×14位OTP型程序存储器（烧录1次）

²  0.5K×14位OTP型程序存储器（烧录2次）

n  数据存储器

²  48字节SRAM型通用数据存储器，支持直接寻址、间接寻址等多种寻址方式

n  1组共5个I/O

²  P1（P10~P14）

²  所有端口均支持施密特输入，除P13外均可选推挽或开漏输出

²  P13为输入/开漏输出口，编程时为高压VPP输入

²  所有端口均内置上拉和下拉电阻，均可单独使能

²  P10可复用为外部中断输入，支持外部中断唤醒功能

²  所有端口均支持键盘中断唤醒功能，并可单独使能

n  时钟源

²  内置高频RC振荡器（16MHz），其1/2/4/8/16/32分频时钟，可用作系统主时钟源

²  内置低频RC振荡器（32KHz），可用作系统主时钟源、或外设低频时钟源

n  系统工作模式

²  运行模式：CPU在系统主时钟下运行

²  休眠模式（低功耗模式）：CPU暂停，系统主时钟源停止

n  内部自振式看门狗计数器（WDT）

²  与定时器T0共用预分频器

²  溢出时间可配置：4.5ms/18ms/72ms/288ms（无预分频）

²  工作模式可配置：始终开启、始终关闭，也可软件控制开启或关闭

n  2个定时器

²  8位定时器T0，支持外设低频时钟，可实现外部计数功能，与WDT共用预分频器

²  8位定时器T1，可实现外部计数和PWM功能

n  中断

²  外部中断（INT），键盘中断（P10~P14）

²  定时器中断（T0~T1）

²  LVD中断，温度检测中断（超过90℃、超过110℃）

n  低电压检测LVD

²  2.0V/2.4V/2.6V/2.8V/2.9V/3.0V/3.1V/3.2V/3.4V/3.6V/3.7V/3.8V/3.9V/4.0V/4.1V/4.2V

²  可实现VBAT的电压检测功能（仅在电池供电状态下有效）

n  低电压复位LVR

²  1.8V/2.2V/2.7V/3.6V

n  工作电压

²  VLVR36 ~ 5.5V @ Fcpu = 0~8MHz

²  VLVR22 ~ 5.5V @ Fcpu = 0~4MHz

²  VLVR18 ~ 5.5V @ Fcpu = 0~1MHz

产品封装

n  封装形式：SOP8/ESOP8